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28 6月, 2017

NorFlash、NandFlash、eMMC比較區別

快閃存儲器(英語:Flash Memory),是一種電子式可清除程序化只讀存儲器的形式,允許在操作中被多次擦或寫的存儲器。這種科技主要用於一般性數據存儲,以及在電腦與其他數字產品間交換傳輸數據,如儲存卡與U盤。閃存是非易失性的存儲器,所以單就保存數據而言, 它是不需要消耗電力的。

與硬盤相比,閃存也有更佳的動態抗震性。這些特性正是閃存被移動設備廣泛採用的原因。閃存還有一項特性:當它被製成儲存卡時非常可靠,即使浸在水中也足以抵抗高壓與極端的溫度。閃存的寫入速度往往明顯慢於讀取速度

NorFlash

NorFlash

NOR Flash需要很長的時間進行抹寫,但是它提供完整的尋址與數據總線,並允許隨機存取存儲器上的任何區域,這使的它非常適合取代老式的ROM芯片。當時ROM芯片主要用來存儲幾乎不需更新的代碼,例如電腦的BIOS或機上盒(Set-top Box)的固件。NOR Flash可以忍受一萬到一百萬次抹寫循環,它同時也是早期的可移除式快閃存儲媒體的基礎。CompactFlash本來便是以NOR Flash為基礎的,雖然它之後跳槽到成本較低的 NAND Flash。

NandFlash

Nandflash

NAND Flash式東芝在1989年的國際固態電路研討會(ISSCC)上發表的, 要在NandFlash上面讀寫數據,要外部加主控和電路設計。。NAND Flash具有較快的抹寫時間, 而且每個存儲單元的面積也較小,這讓NAND Flash相較於NOR Flash具有較高的存儲密度與較低的每比特成本同時它的可抹除次數也高出NOR Flash十倍。然而NAND Flash 的I/O接口並沒有隨機存取外部地址總線,它必須以區塊性的方式進行讀取,NAND Flash典型的區塊大小是數百至數千比特。

因為多數微處理器與微控制器要求字節等級的隨機存取,所以NAND Flash不適合取代那些用以裝載程序的ROM。從這樣的角度看來,NAND Flash比較像光盤、硬盤這類的次級存儲設備NAND Flash非常適合用於儲存卡之類的大量存儲設備。第一款創建在NAND Flash基礎上的可移除式存儲媒體是SmartMedia,此後許多存儲媒體也跟著採用NAND Flash,包括MultiMediaCard、Secure Digital、Memory Stick與xD卡。

eMMC

eMMC為MMCA協會(MultiMediaCard Association,多媒體卡協會)所訂立的內嵌式記憶體標準規格,主要是針對手機產品為主,簡化記憶體的設計,採用多晶片封裝(MCP)將NAND Flash晶片和控制晶片包成一顆晶片,可以省去零組件佔用電路板的面積,eMMC可說是一種嵌入式的MMC規格介面產品。

eMMC擁有多功能,包括儲存以及取代NOR Flash的開機功能,最大的好處是,手機廠商不需要因為NAND Flash供應商或者不同製程世代而重新設計規格,需處理NAND Flash相容性和管理問題,手機客戶只需要採購eMMC晶片,放入手機,不僅縮短新產品的上市週期和研發成本,且加速產品的推出速度。
eMMC具備高容量彈性,支援有效讀寫、開機(boot)、睡眠模式、雙通道資料傳輸率、多重磁區支援,以及系統安全強化。

快閃記憶卡各種規格當中,包括CF、MMC、SM、SD等不同的規格標準,而eMMC是由MMC卡所延伸出來的,為內嵌式記憶體的規格之一,而應用在手機的內嵌式標準規格除了eMMC,還包括SD協會設立的eSD規格,但是eMMC是內嵌式記憶體主流,已發展到eMMC4.3世代,下一代是eMMC4.4規格。

eMMC4.2制訂了eMMC介面容量及速度,傳輸速度為52MB/s、容量>2GB;eMMC4.3則新增Booting Function、Explicit Sleep Mode、Reliable Write;eMMC4.4傳輸速度提升至100MB/s,則強化雙倍記憶體介面效能、彈性分區管理;彈性分區管理概念(Multiple Partitioning),是將晶片定義為High Density及High Performance兩個部份,可將程式和系統資料放在High Performance區塊,可更有彈性的使用區塊容量。並且eMMC 4.4 還增加了防寫的功能,提高資料安全性。

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NorFlash、NandFlash、eMMC比较区别 - VeryARM - https://goo.gl/i6p5Uh

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